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化學氣相沉積采用等離子體增強型化學氣相沉積技術(shù)，能夠利用高能量等離子體促進反應過程，有效提升反應速度，降低反應溫度。適用于在光學玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂，適用于制備非晶硅和微晶硅薄膜太陽電池器件，可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備
PECVD技術(shù)參數(shù)：
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供電電源 |
AC220V 50Hz (歐標) |
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射頻電源 |
信號頻率 |
13.56MHz |
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功率輸出范圍 |
0~500W |
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*大反射功率 |
100W |
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反射功率 (在*大功率時) |
<5W |
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功率穩(wěn)定性 |
±0.1% |
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工作腔體 |
加熱溫度 |
RT-1000℃ |
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溫控精度 |
±1℃ |
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樣品臺尺寸 |
Φ200mm |
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樣品臺轉(zhuǎn)速 |
1-20rpm 可調(diào) |
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噴頭尺寸 |
Φ90mm |
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距離 |
噴頭與樣品之間的距離40-100mm連續(xù)可調(diào) |
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沉積工作真空 |
0. 133- 133Pa （可根據(jù)工藝調(diào)整） |
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法蘭 |
上法蘭可由電機升降，基材易更換，并有可視窗口 |
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腔體 |
不銹鋼材質(zhì), Φ500mm * 500mm |
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觀察窗 |
Φ100mm, 帶擋板 |
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供氣系統(tǒng) |
通道數(shù) |
6 |
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測量單位 |
質(zhì)量流量計 |
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測量范圍 |
A 通道: 0～200SCCM for H2 |
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B 通道: 0～200SCCM for CH4 |
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C 通道: 0～200SCCM for C2H4 |
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D通道: 0～500SCCM for N2 |
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E通道: 0～500SCCM for NH3 |
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F通道: 0～500SCCM for Ar |
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測量精度 |
±1.5%F.S |
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工作壓差 |
-0.15Mpa~0.15Mpa |
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連接管材質(zhì) |
304 不銹鋼 |
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氣路 |
304 不銹鋼針閥 |
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進氣和出氣接口規(guī)格 |
1/4" 卡套接頭 |
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真空系統(tǒng) |
前級泵抽速 |
4.7L/s |
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分子泵抽速 |
1200L/s |
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真空測量 |
復合真空計, 范圍10-5Pa ~ 105Pa |
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真空度 |
10-4Pa |
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水冷機 |
冷卻水溫度 |
≦37℃ |
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水流速 |
10L/min |
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功率 |
0.1KW |
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冷卻功率 |
50W/℃ |
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空壓機 |
OTS-550 |
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